سيمي ڪنڊڪٽرز اليڪٽرانڪ اجزاء TPS7A5201QRGRRQ1 Ic چپس BOM سروس هڪ جڳهه خريد

چپس جو جائزو

(i) هڪ چپ ڇا آهي

مربوط سرڪٽ، مختصر طور تي IC؛يا microcircuit، microchip، چپ اليڪٽرانڪس ۾ ننڍي سرڪٽ (خاص طور تي سيمي ڪنڊڪٽر ڊوائيسز، پر غير فعال اجزاء وغيره) جو هڪ طريقو آهي، ۽ اڪثر ڪري سيمي ڪنڊڪٽر ويفرز جي مٿاڇري تي ٺاهيو ويندو آهي.

(ii) چپ ٺاهڻ جو عمل

مڪمل چپ ٺاھڻ جي عمل ۾ شامل آھي چپ ڊيزائن، ويفر ٺاھڻ، پيڪيج ٺاھڻ، ۽ ٽيسٽ، جن ۾ ويفر ٺاھڻ جو عمل خاص طور تي پيچيده آھي.

پهرين آهي چپ ڊيزائن، ڊيزائن جي گهرجن مطابق، ٺاهيل "نمون"، چپ جو خام مال ويفر آهي.

ويفر سلڪون مان ٺهيل آهي، جيڪو کوارٽز ريل مان ٺهيل آهي.ويفر سلڪون عنصر آهي صاف ٿيل (99.999٪)، پوء خالص سلڪون سلڪون راڊز ۾ ٺاهيو ويندو آهي، جيڪي انٽيگريٽيڊ سرڪٽس لاءِ ڪوارٽز سيمڪنڊڪٽرز ٺاهڻ لاءِ مواد بڻجي ويندا آهن، جيڪي چپ جي پيداوار لاءِ ويفرز ۾ ڪٽيا ويندا آهن.پتلي ويفر، پيداوار جي قيمت گھٽ، پر پروسيس وڌيڪ گهربل.

ويفر ڪوٽنگ

ويفر ڪوٽنگ oxidation ۽ گرمي پد جي مزاحمت جي مزاحمتي آهي ۽ photoresist جو هڪ قسم آهي.

ويفر ڦوٽو گرافي جي ترقي ۽ نقاشي

ڦوٽوولوگرافي جي عمل جو بنيادي وهڪرو هيٺ ڏنل ڊراگرام ۾ ڏيکاريل آهي.پهرين، فوٽوزسٽ جي هڪ پرت کي ويفر جي مٿاڇري تي لاڳو ڪيو ويندو آهي (يا سبسٽٽ) ۽ خشڪ.خشڪ ٿيڻ کان پوء، ويفر کي ليٿوگرافي مشين ڏانهن منتقل ڪيو ويو آهي.روشني هڪ ماسڪ جي ذريعي گذري وئي آهي ماسڪ جي نموني کي ويفر جي سطح تي فوٽوورسٽ تي پروجيڪٽ ڪرڻ، نمائش کي چالو ڪرڻ ۽ فوٽو ڪيميڪل رد عمل کي متحرڪ ڪرڻ.ان کان پوءِ بي نقاب ٿيل ويفرز کي ٻيو ڀيرو پڪو ڪيو ويندو آهي، جنهن کي پوسٽ-ايڪسپوزر بيڪنگ سڏيو ويندو آهي، جتي فوٽو ڪيميڪل ردعمل وڌيڪ مڪمل ٿيندو آهي.آخرڪار، ڊولپر کي بي نقاب نموني کي ترقي ڪرڻ لاء ويفر جي مٿاڇري تي photoresist تي اسپري ڪيو ويو آهي.ترقي کان پوء، ماسڪ تي نمونو فوٽوزسٽ تي ڇڏي ويو آهي.

گلونگ، بيڪنگ، ۽ ڊولپمينٽ سڀ ڪم اسڪريڊ ڊولپر ۾ ڪيا ويندا آهن ۽ نمائش فوٽوليٽوگراف ۾ ڪئي ويندي آهي.اسڪريڊ ڊولپر ۽ ليٿوگرافي مشين کي عام طور تي ان لائن هلايو ويندو آهي، ويفرز کي روبوٽ استعمال ڪندي يونٽ ۽ مشين جي وچ ۾ منتقل ڪيو ويندو آهي.سڄو نمائش ۽ ترقي وارو نظام بند ڪيو ويو آهي ۽ ويفرز سڌو سنئون ڀرپاسي جي ماحول کي ظاهر نه ڪيو ويو آهي ته ماحول ۾ نقصانڪار اجزاء جي اثر کي گهٽائڻ لاء فوٽوزسٽ ۽ فوٽو ڪيميائي رد عمل تي.

ناپاڪي سان گڏ doping

لاڳاپيل P ۽ N-قسم جي سيمي ڪنڊڪٽرز کي پيدا ڪرڻ لاءِ ويفر ۾ آئن لڳائڻ.

ويفر ٽيسٽ

مٿي ڏنل عملن کان پوء، ويفر تي ٿلهي جو هڪ ٿلهو ٺهيل آهي.هر مرڻ جي برقي خاصيتن کي پن ٽيسٽ استعمال ڪندي چيڪ ڪيو ويو آهي.

پيڪنگنگ

ٺاهيل ويفرز کي مقرر ڪيو ويندو آهي، پنن سان پابند ڪيو ويندو آهي، ۽ ضرورتن مطابق مختلف پيڪيجز ۾ ٺاهيو ويندو آهي، ڇو ته هڪ ئي چپ ڪور کي مختلف طريقن سان پيڪ ڪري سگهجي ٿو.مثال طور، DIP، QFP، PLCC، QFN، وغيره.هتي اهو خاص طور تي صارف جي ايپليڪيشن جي عادتن، ايپليڪيشن ماحول، مارڪيٽ جي شڪل، ۽ ٻين پردي عنصرن طرفان طئي ڪيو ويندو آهي.

جانچڻ ، پيڪنگ ڪرڻ

مٿين عمل کان پوء، چپ جي پيداوار مڪمل آهي.اهو قدم چپ کي جانچڻ، خراب شين کي هٽائڻ ۽ ان کي پيڪيج ڪرڻ آهي.

wafers ۽ چپس جي وچ ۾ تعلق

هڪ چپ هڪ کان وڌيڪ سيمي ڪنڊڪٽر ڊوائيس مان ٺهيل آهي.Semiconductors عام طور تي diodes، triodes، فيلڊ اثر ٽيوب، ننڍي طاقت resistors، inductors، capacitors، ۽ پوء تي آهن.

اهو ٽيڪنيڪل ذريعن جو استعمال آهي آزاد اليڪٽرانن جي ڪنسنٽريشن کي تبديل ڪرڻ لاءِ ائٽمي نيوڪلئس ۾ هڪ سرڪيولر کوهه ۾ ته جيئن ايٽمي مرڪزن جي جسماني ملڪيتن کي تبديل ڪري ڪيترن ئي (اليڪٽرانن) يا ٿورن (سورن) جي مثبت يا منفي چارج پيدا ڪري. مختلف semiconductors ٺاهي.

سلکان ۽ جرميميم عام طور تي استعمال ٿيل سيمي ڪنڊڪٽر مواد آهن ۽ انهن جون خاصيتون ۽ مواد آسانيء سان وڏي مقدار ۾ دستياب آهن ۽ انهن ٽيڪنالاجي ۾ استعمال لاء گهٽ قيمت تي.

هڪ سلڪون ويفر وڏي تعداد ۾ سيمي ڪنڊڪٽر ڊوائيسز مان ٺهيل آهي.سيمي ڪنڊڪٽر جو ڪم، يقيناً، ضرورت مطابق سرڪٽ ٺاهڻ ۽ سلکان ويفر ۾ موجود هجڻ آهي.